casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD70N12S311ATMA1
Número da peça de fabricante | IPD70N12S311ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPD70N12S311ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPD70N12S311ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 120V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.1 mOhm @ 70A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4355pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 125W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3-11 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD70N12S311ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD70N12S311ATMA1-FT |
IPC302N10N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N12N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N15N3X1SA1
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IPC302N15N3X7SA1
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IPC302N20N3X1SA1
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IPC302N20NFDX1SA1
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IPC302N25N3AX1SA1
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IPC302N25N3X1SA1
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IPC302NE7N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC30S2SN08NX2MA1
Infineon Technologies
LCMXO1200E-5T144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-2PQ100C
Microsemi Corporation
XC6SLX9-2FT256I
Xilinx Inc.
A3PN125-1VQ100
Microsemi Corporation
EP2A15F672C7AA
Intel
EP3CLS70U484I7
Intel
5SGSED6K2F40C3N
Intel
EP4CE10E22C9L
Intel
LFE3-70E-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K600EBC652-1X
Intel