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Infineon Technologies IPC302N20N3X1SA1

Name: IPC302N20N3X1SA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC302N20N3X1SA1
Price: 2.901184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (519 reviews)

Número da peça MFG: IPC302N20N3X1SA1

Quantidade disponível: 45030 Peças

Preço de referência: USD 2.901184

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPC302N20N3X1SA1.pdf

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IPC302N20N3X1SA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPC302N20N3X1SA1
Número da peça futura	FT-IPC302N20N3X1SA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
IPC302N20N3X1SA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	200V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	1A (Tj)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 260µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (máx.)	-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	-
Temperatura de operação	-
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	Sawn on foil
Pacote / caso	Die
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC302N20N3X1SA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPC302N20N3X1SA1-FT

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