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Infineon Technologies IPC302N20N3X1SA1
- Número da peça MFG
- IPC302N20N3X1SA1
- Quantidade disponível
- 45030 Peças
- Preço de referência
- USD 2.901184
- Nosso preço
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- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Infineon Technologies
- Descrição breve
- OptiMOS™ MOSFET N-CH 200V 1A SAWN ON FOIL
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- IPC302N20N3X1SA1.pdf
IPC302N20N3X1SA1 Especificações
| Número da peça de fabricante | IPC302N20N3X1SA1 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-IPC302N20N3X1SA1 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | OptiMOS™ |
| IPC302N20N3X1SA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 200V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tj) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 260µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Vgs (máx.) | - |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | - |
| Temperatura de operação | - |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Sawn on foil |
| Pacote / caso | Die |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IPC302N20N3X1SA1 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | IPC302N20N3X1SA1-FT |
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