casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD50N06S409ATMA2
Número da peça de fabricante | IPD50N06S409ATMA2 |
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Número da peça futura | FT-IPD50N06S409ATMA2 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPD50N06S409ATMA2 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 50A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 34µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 47.1nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3785pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 71W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3-11 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD50N06S409ATMA2 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD50N06S409ATMA2-FT |
IPD042P03L3GATMA1
Infineon Technologies
IPD042P03L3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD048N06L3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD04N03LA G
Infineon Technologies
IPD04N03LB G
Infineon Technologies
IPD050N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD050N03LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD053N06N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD053N06NATMA1
Infineon Technologies
IPD053N08N3GBTMA1
Infineon Technologies
AT40K05AL-1BQC
Microchip Technology
XC3S200AN-4FTG256I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG144
Microsemi Corporation
EPF6010ATI100-2N
Intel
5SGXEABK3H40I4N
Intel
XC4005-5PC84C
Xilinx Inc.
XA7S25-1CSGA225Q
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE2-20SE-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S20F780C6
Intel