casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD65R1K5CEAUMA1
Número da peça de fabricante | IPD65R1K5CEAUMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPD65R1K5CEAUMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
IPD65R1K5CEAUMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 700V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 5.2A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 225pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 53W (Tc) |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD65R1K5CEAUMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD65R1K5CEAUMA1-FT |
IPC300N15N3RX1SA2
Infineon Technologies
IPC300N20N3X7SA1
Infineon Technologies
IPC302N08N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N08N3X2SA1
Infineon Technologies
IPC302N10N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N12N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N15N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N15N3X7SA1
Infineon Technologies
IPC302N20N3X1SA1
Infineon Technologies
IPC302N20NFDX1SA1
Infineon Technologies