casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD60R600C6BTMA1
Número da peça de fabricante | IPD60R600C6BTMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPD60R600C6BTMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPD60R600C6BTMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 63W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R600C6BTMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD60R600C6BTMA1-FT |
IPD170N04NGBTMA1
Infineon Technologies
IPD180N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD200N15N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD20N03L
Infineon Technologies
IPD20N03L G
Infineon Technologies
IPD220N06L3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD22N08S2L50ATMA1
Infineon Technologies
IPD230N06NGBTMA1
Infineon Technologies
IPD250N06N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD25CN10NGBUMA1
Infineon Technologies
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel