casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD250N06N3GBTMA1
Número da peça de fabricante | IPD250N06N3GBTMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPD250N06N3GBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPD250N06N3GBTMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 11µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 36W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD250N06N3GBTMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD250N06N3GBTMA1-FT |
IPD70N03S4L04ATMA1
Infineon Technologies
IPD80R1K4CEATMA1
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IPD90N03S4L02ATMA1
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ICE5LP4K-CM36ITR50
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AGL250V5-VQG100I
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5SGXMA4H3F35I3LN
Intel
XC5VLX50-2FF324I
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XC7VX690T-2FFG1157I
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-9FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL110F780I4LN
Intel
EP1C20F324C8N
Intel