casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD60R520CPBTMA1
Número da peça de fabricante | IPD60R520CPBTMA1 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPD60R520CPBTMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPD60R520CPBTMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 6.8A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 520 mOhm @ 3.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 31nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 630pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 66W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R520CPBTMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD60R520CPBTMA1-FT |
IPD16CN10N G
Infineon Technologies
IPD16CNE8N G
Infineon Technologies
IPD170N04NGBTMA1
Infineon Technologies
IPD180N10N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD200N15N3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD20N03L
Infineon Technologies
IPD20N03L G
Infineon Technologies
IPD220N06L3GBTMA1
Infineon Technologies
IPD22N08S2L50ATMA1
Infineon Technologies
IPD230N06NGBTMA1
Infineon Technologies
XC7A100T-2FTG256I
Xilinx Inc.
APA450-FGG484A
Microsemi Corporation
10AX032E4F27I3SG
Intel
XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC7K325T-L2FBG900I
Xilinx Inc.
LFXP3C-5Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-6MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N4F40I3LG
Intel
EP1AGX35DF780C6
Intel
EP1S40F1020C5N
Intel