casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD16CNE8N G
Número da peça de fabricante | IPD16CNE8N G |
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Número da peça futura | FT-IPD16CNE8N G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPD16CNE8N G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 85V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 53A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD16CNE8N G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD16CNE8N G-FT |
SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
IRFR7440TRPBF
Infineon Technologies
IPD135N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD135N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD30N06S215ATMA2
Infineon Technologies
IPD30N06S2L13ATMA4
Infineon Technologies
IPD350N06LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD35N12S3L24ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
IPD70N03S4L04ATMA1
Infineon Technologies
XC4052XL-2HQ304I
Xilinx Inc.
EP3SL200F1517I4
Intel
XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP3C120F780I7
Intel
EPF8452AQC160-3
Intel
5SGSMD3H2F35C1N
Intel