casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD16CNE8N G
Número da peça de fabricante | IPD16CNE8N G |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPD16CNE8N G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPD16CNE8N G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 85V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 53A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD16CNE8N G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD16CNE8N G-FT |
SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
IRFR7440TRPBF
Infineon Technologies
IPD135N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD135N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD30N06S215ATMA2
Infineon Technologies
IPD30N06S2L13ATMA4
Infineon Technologies
IPD350N06LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD35N12S3L24ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
IPD70N03S4L04ATMA1
Infineon Technologies