casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD16CNE8N G
Número da peça de fabricante | IPD16CNE8N G |
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Número da peça futura | FT-IPD16CNE8N G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPD16CNE8N G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 85V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 53A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16 mOhm @ 53A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 61µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3230pF @ 40V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 100W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD16CNE8N G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD16CNE8N G-FT |
SPD04N60C3ATMA1
Infineon Technologies
IRFR7440TRPBF
Infineon Technologies
IPD135N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPD135N08N3GATMA1
Infineon Technologies
IPD30N06S215ATMA2
Infineon Technologies
IPD30N06S2L13ATMA4
Infineon Technologies
IPD350N06LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD35N12S3L24ATMA1
Infineon Technologies
IPD60R380P6ATMA1
Infineon Technologies
IPD70N03S4L04ATMA1
Infineon Technologies
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
M2GL010-FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256M
Microsemi Corporation
A3PN250-2VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3L
Intel
5SGXMA9N2F45C2LN
Intel
XC7VX690T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC4VLX160-10FF1148C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XC2V1500-5FF896I
Xilinx Inc.