casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPD60R3K3C6
Número da peça de fabricante | IPD60R3K3C6 |
---|---|
Número da peça futura | FT-IPD60R3K3C6 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPD60R3K3C6 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3 Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 93pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 18.1W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO252-3 |
Pacote / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPD60R3K3C6 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPD60R3K3C6-FT |
IPD144N06NGBTMA1
Infineon Technologies
IPD14N06S280ATMA1
Infineon Technologies
IPD14N06S280ATMA2
Infineon Technologies
IPD15N06S2L64ATMA1
Infineon Technologies
IPD15N06S2L64ATMA2
Infineon Technologies
IPD160N04LGBTMA1
Infineon Technologies
IPD16CN10N G
Infineon Technologies
IPD16CNE8N G
Infineon Technologies
IPD170N04NGBTMA1
Infineon Technologies
IPD180N10N3GATMA1
Infineon Technologies
AT6010ALV-4AC
Microchip Technology
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
XC4005XL-3VQ100I
Xilinx Inc.
M1A3P600L-1FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EFC484-2XN
Intel
5SGXEA5K3F40I3LN
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
LFEC6E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3H2F35I3LN
Intel