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Infineon Technologies IPC60N04S406ATMA1

Número da peça MFG
IPC60N04S406ATMA1
Quantidade disponível
61790 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 8TDSON
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IPC60N04S406ATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante IPC60N04S406ATMA1
Número da peça futura FT-IPC60N04S406ATMA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPC60N04S406ATMA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 30µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2650pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 63W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor PG-TDSON-8-23
Pacote / caso 8-PowerVDFN
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC60N04S406ATMA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IPC60N04S406ATMA1-FT

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