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Infineon Technologies IPC60N04S406ATMA1

Name: IPC60N04S406ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPC60N04S406ATMA1
Availability: InStock
Rating: 4.8 (288 reviews)

Número da peça MFG: IPC60N04S406ATMA1

Quantidade disponível: 61790 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 8TDSON

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPC60N04S406ATMA1.pdf

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IPC60N04S406ATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPC60N04S406ATMA1
Número da peça futura	FT-IPC60N04S406ATMA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IPC60N04S406ATMA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	60A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 30µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2650pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	63W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TDSON-8-23
Pacote / caso	8-PowerVDFN
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPC60N04S406ATMA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPC60N04S406ATMA1-FT

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