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ON Semiconductor FQP13N50C_F105

Name: FQP13N50C_F105
Brand: ON Semiconductor
SKU: FQP13N50C_F105
Availability: InStock
Rating: 4.8 (163 reviews)

Número da peça MFG: FQP13N50C_F105

Quantidade disponível: 85650 Peças

Preço de referência: USD 0

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: ON Semiconductor

Descrição breve: QFET® IC POWER MANAGEMENT

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: FQP13N50C_F105.pdf

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FQP13N50C_F105 Especificações

Número da peça de fabricante	FQP13N50C_F105
Número da peça futura	FT-FQP13N50C_F105
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	QFET®
FQP13N50C_F105 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	13A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	480 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2055pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	195W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	TO-220AB
Pacote / caso	TO-220-3
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
FQP13N50C_F105 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	FQP13N50C_F105-FT

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