casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPC055N03L3X1SA1
Número da peça de fabricante | IPC055N03L3X1SA1 |
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Número da peça futura | FT-IPC055N03L3X1SA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPC055N03L3X1SA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1A (Tj) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (máx.) | - |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Sawn on foil |
Pacote / caso | Die |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPC055N03L3X1SA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPC055N03L3X1SA1-FT |
FDR4420A
ON Semiconductor
FDR6580
ON Semiconductor
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ON Semiconductor
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FDR840P
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FDR844P
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XC7A50T-3FGG484E
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5SGXMB6R2F40I2N
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5SGSMD3E3H29C2N
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EP2AGX125DF25I3N
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XC5VLX110-3FFG1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA7D4F31I5N
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EP4SGX230HF35I4N
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