casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / FDR6580
Número da peça de fabricante | FDR6580 |
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Número da peça futura | FT-FDR6580 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | PowerTrench® |
FDR6580 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 20V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 11.2A (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9 mOhm @ 11.2A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 48nC @ 4.5V |
Vgs (máx.) | ±8V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3829pF @ 10V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SuperSOT™-8 |
Pacote / caso | 8-LSOP (0.130", 3.30mm Width) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
FDR6580 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | FDR6580-FT |
CPC3714C
IXYS Integrated Circuits Division
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