casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB60R165CPATMA1
Número da peça de fabricante | IPB60R165CPATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB60R165CPATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPB60R165CPATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 165 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 790µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 52nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 192W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB60R165CPATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB60R165CPATMA1-FT |
IXTA300N04T2-7
IXYS
IXTA80N10T7
IXYS
IXTA88N085T7
IXYS
IXTA98N075T7
IXYS
NP160N04TUG-E1-AY
Renesas Electronics America
NP160N055TUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N04TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N04TUK-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N055TUJ-E1-AY
Renesas Electronics America
NP180N055TUK-E1-AY
Renesas Electronics America
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
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AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel