casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB45N04S4L08ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB45N04S4L08ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB45N04S4L08ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB45N04S4L08ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 40V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.6 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 17µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
Vgs (máx.) | +20V, -16V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2340pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 45W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO263-3-2 |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB45N04S4L08ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB45N04S4L08ATMA1-FT |
IPB04N03LAT
Infineon Technologies
IPB04N03LB
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IPB04N03LB G
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IPB050N06NGATMA1
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IPB05CN10N G
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IPB05N03LA
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IPB05N03LA G
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XC3S50-4TQG144I
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XC3S5000-4FGG676I
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XC6SLX25-L1FG484I
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EP3SL200H780I4L
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Lattice Semiconductor Corporation
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