casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB04N03LB G
Número da peça de fabricante | IPB04N03LB G |
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Número da peça futura | FT-IPB04N03LB G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPB04N03LB G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 30V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5 mOhm @ 55A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 70µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 5V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5203pF @ 15V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 107W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB04N03LB G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB04N03LB G-FT |
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