casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPB35N10S3L26ATMA1
Número da peça de fabricante | IPB35N10S3L26ATMA1 |
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Número da peça futura | FT-IPB35N10S3L26ATMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPB35N10S3L26ATMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.3 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 39µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 71W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D²PAK (TO-263AB) |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPB35N10S3L26ATMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPB35N10S3L26ATMA1-FT |
IPB04N03LA
Infineon Technologies
IPB04N03LA G
Infineon Technologies
IPB04N03LAT
Infineon Technologies
IPB04N03LB
Infineon Technologies
IPB04N03LB G
Infineon Technologies
IPB050N06NGATMA1
Infineon Technologies
IPB052N04NGATMA1
Infineon Technologies
IPB055N03LGATMA1
Infineon Technologies
IPB057N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB05CN10N G
Infineon Technologies
A40MX02-VQG80M
Microsemi Corporation
EX128-PTQG64
Microsemi Corporation
5SGXEA7N1F40C2
Intel
EP4SGX530KF43C3
Intel
A40MX04-3PLG44
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
LFEC6E-5F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2
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EP20K60EFC324-1
Intel
EP2S60F1020C5
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