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Infineon Technologies IPB023N04NGATMA1

Número da peça MFG
IPB023N04NGATMA1
Quantidade disponível
62440 Peças
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USD 0
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Data de envio
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fabricante
Infineon Technologies
Descrição breve
OptiMOS™ MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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IPB023N04NGATMA1 Especificações

Número da peça de fabricante IPB023N04NGATMA1
Número da peça futura FT-IPB023N04NGATMA1
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series OptiMOS™
IPB023N04NGATMA1 Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 90A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 95µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 120nC @ 10V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 10000pF @ 20V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 167W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor D²PAK (TO-263AB)
Pacote / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPB023N04NGATMA1 Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição IPB023N04NGATMA1-FT

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