casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / AUIRF3315S
Número da peça de fabricante | AUIRF3315S |
---|---|
Número da peça futura | FT-AUIRF3315S |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | HEXFET® |
AUIRF3315S Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 150V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 82 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 95nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 3.8W (Ta), 94W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | D2PAK |
Pacote / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AUIRF3315S Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | AUIRF3315S-FT |
IRF520SPBF
Vishay Siliconix
SIHB35N60E-GE3
Vishay Siliconix
AUIRF5210STRL
Infineon Technologies
IRF1010ESTRLPBF
Infineon Technologies
IRF1010EZSTRLP
Infineon Technologies
IRF1010ZSTRLPBF
Infineon Technologies
IRF1018ESTRLPBF
Infineon Technologies
IRF1405STRLPBF
Infineon Technologies
IRF200S234
Infineon Technologies
IRF2805STRLPBF
Infineon Technologies
A3PN015-1QNG68I
Microsemi Corporation
A1415A-PQ100I
Microsemi Corporation
M2GL025S-1VF400I
Microsemi Corporation
A10V20B-PL68C
Microsemi Corporation
EP4S100G3F45I3N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel