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Infineon Technologies BSP315P-E6327
- Número da peça MFG
- BSP315P-E6327
- Quantidade disponível
- 61090 Peças
- Preço de referência
- USD 0
- Nosso preço
- Temos um grande desconto, entre em contato conosco
- Data de envio
- Podemos enviar hoje
- fabricante
- Infineon Technologies
- Descrição breve
- SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223
- Status sem chumbo / status RoHS
- Compatível com RoHS (sem chumbo)
- Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
- 1 (ilimitado)
- Código da data (D / C)
- Novo
- Categoria de Produto
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single
- Recurso de estoque
- Distribuidor Franqueado
- garantia
- Garantia de qualidade de 360 dias
- Ficha de dados
- BSP315P-E6327.pdf
BSP315P-E6327 Especificações
| Número da peça de fabricante | BSP315P-E6327 |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-BSP315P-E6327 |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | SIPMOS® |
| BSP315P-E6327 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 1.17A (Ta) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800 mOhm @ 1.17A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 160µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±20V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Surface Mount |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT223-4 |
| Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| BSP315P-E6327 Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | BSP315P-E6327-FT |
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