casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / BSP316PH6327XTSA1
Número da peça de fabricante | BSP316PH6327XTSA1 |
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Número da peça futura | FT-BSP316PH6327XTSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | SIPMOS® |
BSP316PH6327XTSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 680mA (Ta) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 680mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 170µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 146pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 1.8W (Ta) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-SOT223-4 |
Pacote / caso | TO-261-4, TO-261AA |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BSP316PH6327XTSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BSP316PH6327XTSA1-FT |
IPU60R1K5CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU60R2K0C6AKMA1
Infineon Technologies
IPU60R2K0C6BKMA1
Infineon Technologies
IPU60R2K1CEBKMA1
Infineon Technologies
IPU60R600C6AKMA1
Infineon Technologies
IPU60R950C6AKMA1
Infineon Technologies
IPU60R950C6BKMA1
Infineon Technologies
IPU64CN10N G
Infineon Technologies
IPU78CN10N G
Infineon Technologies
IPU80R1K0CEAKMA1
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel