casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA60R600E6XKSA1
Número da peça de fabricante | IPA60R600E6XKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPA60R600E6XKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolMOS™ |
IPA60R600E6XKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 7.3A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 2.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 28W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-FP |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA60R600E6XKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPA60R600E6XKSA1-FT |
IPA086N10N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPA60R380C6XKSA1
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IPAN60R800CEXKSA1
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XCVU080-2FFVD1517E
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AGL030V2-CSG81
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5SGXMA5N2F40C2LN
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5SGXMA7N3F45I3LN
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5SGXEB6R3F43C2L
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XC2VP7-7FF672C
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XC7A12T-1CPG238C
Xilinx Inc.
XC7S25-2CSGA324I
Xilinx Inc.
LFE2M50SE-6FN484I
Lattice Semiconductor Corporation