casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA086N10N3GXKSA1
Número da peça de fabricante | IPA086N10N3GXKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPA086N10N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPA086N10N3GXKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 45A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6 mOhm @ 45A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 75µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3980pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 37.5W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-FP |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA086N10N3GXKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPA086N10N3GXKSA1-FT |
BSP129L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP129L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSP135 E6327
Infineon Technologies
BSP135 E6906
Infineon Technologies
BSP135H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP135H6906XTSA1
Infineon Technologies
BSP135L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP135L6433HTMA1
Infineon Technologies
BSP135L6906HTSA1
Infineon Technologies
BSP149 E6327
Infineon Technologies
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel