casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA180N10N3GXKSA1
Número da peça de fabricante | IPA180N10N3GXKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPA180N10N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPA180N10N3GXKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 28A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 28A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 35µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1800pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 30W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-FP |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA180N10N3GXKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPA180N10N3GXKSA1-FT |
BSP603S2LHUMA1
Infineon Technologies
BSP613P
Infineon Technologies
BSP613PH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP613PL6327HUSA1
Infineon Technologies
BSP615S2L
Infineon Technologies
BSP88E6327
Infineon Technologies
BSP88H6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP88L6327HTSA1
Infineon Technologies
BSP89 E6327
Infineon Technologies
BSP89L6327HTSA1
Infineon Technologies
A3PE600-2FGG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN060V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
10M25DAF256C7G
Intel
EP3SE260F1152I3
Intel
LCMXO640C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2
Intel
10AX048E2F29I1HG
Intel
EP20K60EQC208-1
Intel