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Infineon Technologies BSP613PL6327HUSA1

Name: BSP613PL6327HUSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP613PL6327HUSA1
Availability: InStock
Rating: 4.5 (583 reviews)

Número da peça MFG: BSP613PL6327HUSA1

Quantidade disponível: 63000 Peças

Preço de referência: USD 0

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fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: SIPMOS® MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: BSP613PL6327HUSA1.pdf

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BSP613PL6327HUSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	BSP613PL6327HUSA1
Número da peça futura	FT-BSP613PL6327HUSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	SIPMOS®
BSP613PL6327HUSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Obsolete
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	2.9A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	130 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	33nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	875pF @ 25V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	1.8W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-SOT223-4
Pacote / caso	TO-261-4, TO-261AA
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
BSP613PL6327HUSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	BSP613PL6327HUSA1-FT

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