casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA126N10N3GXKSA1
Número da peça de fabricante | IPA126N10N3GXKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPA126N10N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPA126N10N3GXKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 100V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 35A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 45µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 50V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 33W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-FP |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA126N10N3GXKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPA126N10N3GXKSA1-FT |
BSP373NH6327XTSA1
Infineon Technologies
BSP603S2LHUMA1
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BSP613P
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BSP613PH6327XTSA1
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BSP615S2L
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BSP88E6327
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BSP88H6327XTSA1
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BSP88L6327HTSA1
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BSP89 E6327
Infineon Technologies
EX64-TQ100I
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M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
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XCS05-3PC84C
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XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
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EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel