casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / IPA032N06N3GXKSA1
Número da peça de fabricante | IPA032N06N3GXKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IPA032N06N3GXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | OptiMOS™ |
IPA032N06N3GXKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 60V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 84A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 80A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 118µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 165nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±20V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 13000pF @ 30V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 41W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO220-3-31 Full Pack |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPA032N06N3GXKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IPA032N06N3GXKSA1-FT |
TK4P60DB(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK50P03M1(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5P50D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK5P53D(T6RSS-Q)
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TK60S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK65S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK6P53D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7P50D(T6RSS-Q)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK80S04K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Toshiba Semiconductor and Storage
XC4005XL-2PQ100I
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XC2VP4-5FG456C
Xilinx Inc.
EPF10K100AFC484-3
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EP4CE10F17C8L
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EP2AGX95DF25C6
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XC6VLX240T-1FF1156C
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XC4VFX40-10FF672C
Xilinx Inc.
XC2V8000-4FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP2-30E-5FT256C
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LCMXO2-4000HE-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation