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Infineon Technologies IPA029N06NXKSA1

Name: IPA029N06NXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPA029N06NXKSA1
Price: 1.41064 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (351 reviews)

Número da peça MFG: IPA029N06NXKSA1

Quantidade disponível: 49590 Peças

Preço de referência: USD 1.41064

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Data de envio: Podemos enviar hoje

fabricante: Infineon Technologies

Descrição breve: OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V TO220-3

Status sem chumbo / status RoHS: Compatível com RoHS (sem chumbo)

Nível de sensibilidade à umidade (MSL): 1 (ilimitado)

Código da data (D / C): Novo

Categoria de Produto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de estoque: Distribuidor Franqueado

garantia: Garantia de qualidade de 360 dias

Ficha de dados: IPA029N06NXKSA1.pdf

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IPA029N06NXKSA1 Especificações

Número da peça de fabricante	IPA029N06NXKSA1
Número da peça futura	FT-IPA029N06NXKSA1
SPQ / MOQ	Contate-Nos
Material de empacotamento	Reel/Tray/Tube/Others
Series	OptiMOS™
IPA029N06NXKSA1 Status (Ciclo de Vida)	Em estoque
Status da Peça	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)	60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C	84A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 84A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.3V @ 75µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs	66nC @ 10V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds	5125pF @ 30V
Recurso FET	-
Dissipação de energia (máx.)	38W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor	PG-TO220-FP
Pacote / caso	TO-220-3 Full Pack
País de origem	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPA029N06NXKSA1 Peso	Contate-Nos
Número da peça de substituição	IPA029N06NXKSA1-FT

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