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Número da peça de fabricante | IMC1210ER82NM |
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Número da peça futura | FT-IMC1210ER82NM |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1210 |
IMC1210ER82NM Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Non-Magnetic |
Indutância | 82nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 450mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 50MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 900MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 50MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210ER82NM Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1210ER82NM-FT |
IMC1210EBR33K
Vishay Dale
IMC1210EBR33M
Vishay Dale
IMC1210EBR39J
Vishay Dale
IMC1210EBR39K
Vishay Dale
IMC1210EBR39M
Vishay Dale
IMC1210EBR47J
Vishay Dale
IMC1210EBR47K
Vishay Dale
IMC1210EBR47M
Vishay Dale
IMC1210EBR56J
Vishay Dale
IMC1210EBR56K
Vishay Dale
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation