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Número da peça de fabricante | IMC1210EBR33M |
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Número da peça futura | FT-IMC1210EBR33M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1210 |
IMC1210EBR33M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 330nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 453mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 300MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR33M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1210EBR33M-FT |
IMC1210EB121K
Vishay Dale
IMC1210EB12NK
Vishay Dale
IMC1210EB150J
Vishay Dale
IMC1210EB150K
Vishay Dale
IMC1210EB151J
Vishay Dale
IMC1210EB151K
Vishay Dale
IMC1210EB15NK
Vishay Dale
IMC1210EB15NM
Vishay Dale
IMC1210EB180J
Vishay Dale
IMC1210EB180K
Vishay Dale
LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XCVU080-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
M2GL090T-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AGLN020V2-UCG81
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQG208
Microsemi Corporation
EP1K100EFI484-2
Intel
5SGXEABK1H40C2N
Intel
LFE2M35E-5F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA4U19C8N
Intel