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Número da peça de fabricante | IMC1210EBR22M |
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Número da peça futura | FT-IMC1210EBR22M |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IMC-1210 |
IMC1210EBR22M Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Indutância | 220nH |
Tolerância | ±20% |
Classificação atual | 484mA |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 320 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 25.2MHz |
Freqüência - auto-ressonante | 350MHz |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C |
Frequência de Indutância - Teste | 25.2MHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Surface Mount |
Pacote / caso | 1210 (3225 Metric) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 1210 |
Tamanho / dimensão | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.095" (2.41mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210EBR22M Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IMC1210EBR22M-FT |
IMC1210EB101K
Vishay Dale
IMC1210EB10NK
Vishay Dale
IMC1210EB10NM
Vishay Dale
IMC1210EB120J
Vishay Dale
IMC1210EB120K
Vishay Dale
IMC1210EB121J
Vishay Dale
IMC1210EB121K
Vishay Dale
IMC1210EB12NK
Vishay Dale
IMC1210EB150J
Vishay Dale
IMC1210EB150K
Vishay Dale
LFE2-6SE-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A50T-2CSG325I
Xilinx Inc.
AGL1000V2-FG256T
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208
Microsemi Corporation
EP3C5F256C6
Intel
M1AGL1000V5-CSG281
Microsemi Corporation
A42MX09-1PQG160
Microsemi Corporation
LFE2M50E-5F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132I
Lattice Semiconductor Corporation
10M04DAU324I7G
Intel