casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHB6BV101K
Número da peça de fabricante | IHB6BV101K |
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Número da peça futura | FT-IHB6BV101K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHB |
IHB6BV101K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 100µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 16.4A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 14 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 2.000" Dia (50.80mm) |
Altura - Sentado (Max) | 1.500" (38.10mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB6BV101K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHB6BV101K-FT |
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EP1C6T144C7N
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XA6SLX75-3FGG484Q
Xilinx Inc.
XC6SLX75-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1AGLE3000V2-FG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-PQ208M
Microsemi Corporation
5SGXMA7K2F40C1
Intel
XC7K160T-2FF676C
Xilinx Inc.
10AX115N2F45E1SG
Intel
EP2AGX125EF35C6
Intel
EP2AGZ350FF35I3N
Intel