casa / produtos / Indutores, bobinas, bobinas / Indutores fixos / IHB3EB820K
Número da peça de fabricante | IHB3EB820K |
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Número da peça futura | FT-IHB3EB820K |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | IHB |
IHB3EB820K Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | - |
Indutância | 82µH |
Tolerância | ±10% |
Classificação atual | 6.2A |
Atual - saturação | - |
Blindagem | Unshielded |
Resistência DC (DCR) | 32 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Freqüência - auto-ressonante | - |
Classificações | - |
Temperatura de operação | -55°C ~ 130°C |
Frequência de Indutância - Teste | 1kHz |
Características | - |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | Radial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | - |
Tamanho / dimensão | 1.100" Dia (27.94mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.840" (21.34mm) |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3EB820K Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IHB3EB820K-FT |
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Vishay Dale
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Xilinx Inc.
XC4036XL-3HQ208I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FFG900C
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
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A40MX02-PQG100A
Microsemi Corporation
EP3CLS150F780C7N
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