casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / IDW40G65C5BXKSA1
Número da peça de fabricante | IDW40G65C5BXKSA1 |
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Número da peça futura | FT-IDW40G65C5BXKSA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | CoolSiC™ |
IDW40G65C5BXKSA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Discontinued at Future Semiconductor |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 20A (DC) |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 20A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 210µA @ 650V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 175°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-247-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | PG-TO247-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDW40G65C5BXKSA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | IDW40G65C5BXKSA1-FT |
DSP25-12A
IXYS
DSEE30-12A
IXYS
DSP45-12A
IXYS
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DSEK60-06A
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DSEC60-06A
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M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
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5SGXEABN3F45C4N
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XC7K355T-1FF901C
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XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
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EP4SGX530HH35C2N
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