casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - Retificadores - Matrizes / DSSK80-006B
Número da peça de fabricante | DSSK80-006B |
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Número da peça futura | FT-DSSK80-006B |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
DSSK80-006B Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Configuração de diodo | 1 Pair Common Cathode |
Tipo de Diodo | Schottky |
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Current - Average Rectified (Io) (por Diodo) | 40A |
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If | 550mV @ 40A |
Rapidez | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | - |
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr | 20mA @ 60V |
Temperatura de funcionamento - junção | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-3P-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-247AD |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSSK80-006B Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | DSSK80-006B-FT |
DSEI2X30-06C
IXYS
DCG100X1200NA
IXYS
DSS2X81-0045B
IXYS
DSEP2X25-12C
IXYS
DCG85X1200NA
IXYS
DSEP2X61-12A
IXYS
DHG100X1200NA
IXYS
DHG50X1200NA
IXYS
DHG50X600NA
IXYS
DPF240X200NA
IXYS
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel