casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-8209-TR1
Número da peça de fabricante | HSMS-8209-TR1 |
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Número da peça futura | FT-HSMS-8209-TR1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSMS-8209-TR1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - Cross Over |
Tensão - pico reverso (máximo) | 4V |
Corrente - Max | - |
Capacitância @ Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipação de energia (máx.) | 75mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-8209-TR1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSMS-8209-TR1-FT |
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
XC4013E-3PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025S-1FGG484I
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A54SX16A-1FG256M
Microsemi Corporation
AX250-2FG256
Microsemi Corporation
EP4SGX360NF45I4
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5SGXEBBR2H43C2N
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AGL600V2-FGG144T
Microsemi Corporation
EP2AGX260EF29C6N
Intel
10CX220YF780E6G
Intel