casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-8209-TR1G

| Número da peça de fabricante | HSMS-8209-TR1G |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-HSMS-8209-TR1G |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| HSMS-8209-TR1G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo de Diodo | Schottky - Cross Over |
| Tensão - pico reverso (máximo) | 4V |
| Corrente - Max | - |
| Capacitância @ Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
| Resistência @ Se, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
| Dissipação de energia (máx.) | 75mW |
| Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
| Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143-4 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| HSMS-8209-TR1G Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | HSMS-8209-TR1G-FT |

BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies

BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies

BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies

BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies

BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies

BAR6403WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAR6503WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BAT1503WE6327HTSA1
Infineon Technologies

BA 595 B6327
Infineon Technologies

XC6SLX75-2FG676C
Xilinx Inc.

LFE2-20E-5Q208I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-35EA-8LFTN256C
Lattice Semiconductor Corporation

EP4SE820H40C3
Intel

LFX200B-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation

LCMXO2-7000HC-4BG256I
Lattice Semiconductor Corporation

LFE3-35EA-8FN484C
Lattice Semiconductor Corporation

10AX090U2F45E2SG
Intel

EP2S180F1508C5N
Intel

EPF6010AFC100-1
Intel