casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-281E-TR2G
Número da peça de fabricante | HSMS-281E-TR2G |
---|---|
Número da peça futura | FT-HSMS-281E-TR2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSMS-281E-TR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - 1 Pair Common Anode |
Tensão - pico reverso (máximo) | 20V |
Corrente - Max | 1A |
Capacitância @ Vr, F | 1.2pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 15 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-323 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-281E-TR2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSMS-281E-TR2G-FT |
1N5711W-7-F
Diodes Incorporated
1N5711W-13
Diodes Incorporated
1N5711W-7
Diodes Incorporated
CPINUC5206-HF
Comchip Technology
HSMS-282B-BLKG
Broadcom Limited
ASML-5822-BLKG
Broadcom Limited
ASML-5822-TR1G
Broadcom Limited
ASML-5822-TR2G
Broadcom Limited
ASML-5829-BLKG
Broadcom Limited
ASML-5829-TR1G
Broadcom Limited
EP20K30ETC144-2N
Intel
XC6SLX75T-2FG484C
Xilinx Inc.
AX1000-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP4CE55F23C8N
Intel
EP4SE360H29I4N
Intel
5SGXEA7H3F35C4N
Intel
LFXP2-8E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HE-4FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation