casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / 1N5711W-7-F
Número da peça de fabricante | 1N5711W-7-F |
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Número da peça futura | FT-1N5711W-7-F |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
1N5711W-7-F Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | Schottky - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 70V |
Corrente - Max | 15mA |
Capacitância @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | - |
Dissipação de energia (máx.) | 333mW |
Temperatura de operação | -55°C ~ 125°C (TJ) |
Pacote / caso | SOD-123 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOD-123 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N5711W-7-F Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | 1N5711W-7-F-FT |
BAT1503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA 595 B6327
Infineon Technologies
BA592E6433HTMA1
Infineon Technologies
BA595E6327HTSA1
Infineon Technologies
BA595E6433HTMA1
Infineon Technologies
BAR 63-03W E6433
Infineon Technologies
BAR5003WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT6203WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA 892 E6127
Infineon Technologies
BA 892 E6327
Infineon Technologies
M2GL025T-1VFG256
Microsemi Corporation
M2GL050-VF400
Microsemi Corporation
ICE65L08F-TCB132I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
EP4CE115F23I7
Intel
EP2C8F256C6
Intel
EP2AGX125DF25C6N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
AX500-FG676I
Microsemi Corporation
EP1K10QC208-1N
Intel