casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-2805-TR2G
Número da peça de fabricante | HSMS-2805-TR2G |
---|---|
Número da peça futura | FT-HSMS-2805-TR2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSMS-2805-TR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - 2 Independent |
Tensão - pico reverso (máximo) | 70V |
Corrente - Max | 1A |
Capacitância @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 35 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2805-TR2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSMS-2805-TR2G-FT |
BAT6207L4E6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR6402ELE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR9002ELE6327XTMA1
Infineon Technologies
BA 892-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR 65-02L E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02LRH E6433
Infineon Technologies
BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
XC7K70T-3FBG676E
Xilinx Inc.
XC7S15-2FTGB196C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-N3FGG484C
Xilinx Inc.
P1AFS600-2FG484
Microsemi Corporation
EP4CGX75DF27C6
Intel
5SGXEA9K3H40I3LN
Intel
5SGXMA9K3H40I3LN
Intel
LFE3-150EA-6FN672ITW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8Q208I8
Intel
EP1K100QI208-2
Intel