casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / HSMS-2805-TR2G
Número da peça de fabricante | HSMS-2805-TR2G |
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Número da peça futura | FT-HSMS-2805-TR2G |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HSMS-2805-TR2G Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de Diodo | Schottky - 2 Independent |
Tensão - pico reverso (máximo) | 70V |
Corrente - Max | 1A |
Capacitância @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 35 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Dissipação de energia (máx.) | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | TO-253-4, TO-253AA |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | SOT-143-4 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2805-TR2G Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HSMS-2805-TR2G-FT |
BAT6207L4E6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR6402ELE6327XTMA1
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BAR9002ELE6327XTMA1
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BA 892-02L E6327
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BAR 50-02L E6327
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BAR 64-02LRH E6433
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BAR 65-02L E6327
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BAR 88-02LRH E6433
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BAR6302LE6327XTMA1
Infineon Technologies
BAR6302LE6433XT
Infineon Technologies
EP1K30TI144-2N
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XCKU040-2FBVA676E
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XC6SLX150T-N3FG676C
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XC2S100-5PQ208C
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EP3C80U484C8
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EP4CE75F23C8
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EPF10K100ABC356-1
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EP1K50QI208-2N
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