casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Diodos - RF / BAR9002ELE6327XTMA1
Número da peça de fabricante | BAR9002ELE6327XTMA1 |
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Número da peça futura | FT-BAR9002ELE6327XTMA1 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
BAR9002ELE6327XTMA1 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo de Diodo | PIN - Single |
Tensão - pico reverso (máximo) | 80V |
Corrente - Max | 100mA |
Capacitância @ Vr, F | 0.35pF @ 1V, 1MHz |
Resistência @ Se, F | 800 mOhm @ 10mA, 100MHz |
Dissipação de energia (máx.) | 250mW |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Pacote / caso | 2-XDFN |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TSLP-2-19 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAR9002ELE6327XTMA1 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | BAR9002ELE6327XTMA1-FT |
BAP63-03,115
NXP USA Inc.
BAP64-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-06W,115
NXP USA Inc.
BAP70-04W,115
NXP USA Inc.
BAP50-05W,115
NXP USA Inc.
BAP51-04W,115
NXP USA Inc.
BAP51-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,115
NXP USA Inc.
BAP64-05W,135
NXP USA Inc.
BAP64-06W,115
NXP USA Inc.
LCMXO2-256HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV100-4TQ144I
Xilinx Inc.
EP2C5T144I8
Intel
XC2V1000-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA1000-FGG896I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K3F35C3N
Intel
M1AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
5CGTFD9E5F31C7N
Intel
5AGXMB7G4F35I5N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel