casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Matrizes / STD845DN40
Número da peça de fabricante | STD845DN40 |
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Número da peça futura | FT-STD845DN40 |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
STD845DN40 Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo de transistor | 2 NPN (Dual) |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 4A |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 400V |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 1A, 4A |
Corrente - corte de coletor (máx.) | 250µA |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 12 @ 2A, 5V |
Potência - Max | 3W |
Freqüência - Transição | - |
Temperatura de operação | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | 8-DIP |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
STD845DN40 Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | STD845DN40-FT |
IMT4T108
Rohm Semiconductor
PBSS4160DPN,115
Nexperia USA Inc.
PBSS4160DSH
Nexperia USA Inc.
PBSS5160DS,115
Nexperia USA Inc.
SMBTA06UPNE6327HTSA1
Infineon Technologies
BCM847DS,115
Nexperia USA Inc.
HN1A01F-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C01FYTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage
HN1C03F-B(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
IMX2T108
Rohm Semiconductor
XC3S1000-4FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000L-FGG484
Microsemi Corporation
EP4CE10F17C7N
Intel
5AGXBA7D6F27C6N
Intel
EP3C16E144I7
Intel
EP4SE530F43I3
Intel
XC4008E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC4VLX100-11FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6MG132I
Lattice Semiconductor Corporation