casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / HGTP12N60C3D
Número da peça de fabricante | HGTP12N60C3D |
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Número da peça futura | FT-HGTP12N60C3D |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
HGTP12N60C3D Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Not For New Designs |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 24A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 96A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 15A |
Potência - Max | 104W |
Energia de comutação | 380µJ (on), 900µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 48nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | - |
Condição de teste | - |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 40ns |
Temperatura de operação | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HGTP12N60C3D Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | HGTP12N60C3D-FT |
FGH40N60SFTU
ON Semiconductor
FGH60N60UFDTU
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