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ON Semiconductor HGT1S12N60A4DS

Número da peça MFG
HGT1S12N60A4DS
Quantidade disponível
55210 Peças
Preço de referência
USD 2.617008
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Data de envio
Podemos enviar hoje
fabricante
ON Semiconductor
Descrição breve
- IGBT 600V 54A 167W D2PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - IGBTs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
HGT1S12N60A4DS.pdf
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HGT1S12N60A4DS Especificações

Número da peça de fabricante HGT1S12N60A4DS
Número da peça futura FT-HGT1S12N60A4DS
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
HGT1S12N60A4DS Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Not For New Designs
Tipo IGBT -
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) 600V
Corrente - Coletor (Ic) (Max) 54A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) 96A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 12A
Potência - Max 167W
Energia de comutação 55µJ (on), 50µJ (off)
Tipo de entrada Standard
Carga do Portão 78nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C 17ns/96ns
Condição de teste 390V, 12A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr) 30ns
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacote de Dispositivo do Fornecedor TO-263AB
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HGT1S12N60A4DS Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição HGT1S12N60A4DS-FT

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