casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - IGBTs - Single / SGS10N60RUFDTU
Número da peça de fabricante | SGS10N60RUFDTU |
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Número da peça futura | FT-SGS10N60RUFDTU |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
SGS10N60RUFDTU Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Tipo IGBT | - |
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max) | 600V |
Corrente - Coletor (Ic) (Max) | 16A |
Corrente - Coletor Pulsado (Icm) | 30A |
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic | 2.8V @ 15V, 10A |
Potência - Max | 55W |
Energia de comutação | 141µJ (on), 215µJ (off) |
Tipo de entrada | Standard |
Carga do Portão | 30nC |
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C | 15ns/36ns |
Condição de teste | 300V, 10A, 20 Ohm, 15V |
Tempo de Recuperação Reversa (trr) | 60ns |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote / caso | TO-220-3 Full Pack |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220F |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
SGS10N60RUFDTU Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | SGS10N60RUFDTU-FT |
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