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HAT2160H-EL-E Image

Renesas Electronics America HAT2160H-EL-E

Número da peça MFG
HAT2160H-EL-E
Quantidade disponível
51710 Peças
Preço de referência
USD 1.0528
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Data de envio
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fabricante
Renesas Electronics America
Descrição breve
- MOSFET N-CH 20V 60A LFPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
HAT2160H-EL-E.pdf
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HAT2160H-EL-E Especificações

Número da peça de fabricante HAT2160H-EL-E
Número da peça futura FT-HAT2160H-EL-E
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
HAT2160H-EL-E Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Not For New Designs
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 54nC @ 4.5V
Vgs (máx.) ±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 7750pF @ 10V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 30W (Tc)
Temperatura de operação 150°C (TJ)
Tipo de montagem Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor LFPAK
Pacote / caso SC-100, SOT-669
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HAT2160H-EL-E Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição HAT2160H-EL-E-FT

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