casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H4357RBZA
Número da peça de fabricante | H4357RBZA |
---|---|
Número da peça futura | FT-H4357RBZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H4357RBZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 357 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H4357RBZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H4357RBZA-FT |
H430R1BCA
TE Connectivity Passive Product
H430R1BDA
TE Connectivity Passive Product
H430R1BYA
TE Connectivity Passive Product
H430R1BZA
TE Connectivity Passive Product
H430R1DYA
TE Connectivity Passive Product
H430R9BCA
TE Connectivity Passive Product
H430R9BDA
TE Connectivity Passive Product
H430R9BYA
TE Connectivity Passive Product
H430R9BZA
TE Connectivity Passive Product
H4316KBZA
TE Connectivity Passive Product
A3P250-2FGG256I
Microsemi Corporation
A42MX09-VQG100I
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8LN
Intel
XC4VLX80-12FF1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-PL84M
Microsemi Corporation
10AX066K4F40I3LG
Intel
5AGXFB3H4F35I5N
Intel
EP2S130F780C4
Intel
EP4CE115F29C9LN
Intel