casa / produtos / Resistores / Através de resistores de furo / H430R1BZA
Número da peça de fabricante | H430R1BZA |
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Número da peça futura | FT-H430R1BZA |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | Holco, Holsworthy |
H430R1BZA Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Active |
Resistência | 30.1 Ohms |
Tolerância | ±0.1% |
Potência (Watts) | 0.5W, 1/2W |
Composição | Metal Film |
Características | Pulse Withstanding |
Coeficiente de temperatura | ±100ppm/°C |
Temperatura de operação | -55°C ~ 155°C |
Pacote / caso | Axial |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | Axial |
Tamanho / dimensão | 0.146" Dia x 0.394" L (3.70mm x 10.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | - |
Número de Terminações | 2 |
Taxa de falha | - |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
H430R1BZA Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | H430R1BZA-FT |
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XC2V500-5FGG456C
Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
M7A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
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Intel
10AX032H2F34E2SG
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5SGXMB9R2H43I3N
Intel
LFE2-12E-5FN256I
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EP4SGX230FF35I4N
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