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Global Power Technologies Group GP2M002A065PG

Número da peça MFG
GP2M002A065PG
Quantidade disponível
56590 Peças
Preço de referência
USD 0
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Data de envio
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fabricante
Global Power Technologies Group
Descrição breve
- MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK
Status sem chumbo / status RoHS
Compatível com RoHS (sem chumbo)
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (ilimitado)
Código da data (D / C)
Novo
Categoria de Produto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
Recurso de estoque
Distribuidor Franqueado
garantia
Garantia de qualidade de 360 dias
Ficha de dados
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GP2M002A065PG Especificações

Número da peça de fabricante GP2M002A065PG
Número da peça futura FT-GP2M002A065PG
SPQ / MOQ Contate-Nos
Material de empacotamento Reel/Tray/Tube/Others
Series -
GP2M002A065PG Status (Ciclo de Vida) Em estoque
Status da Peça Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss) 650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.6 Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
Vgs (máx.) ±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds 353pF @ 25V
Recurso FET -
Dissipação de energia (máx.) 52W (Tc)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor I-PAK
Pacote / caso TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
País de origem USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
GP2M002A065PG Peso Contate-Nos
Número da peça de substituição GP2M002A065PG-FT

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