casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GP2M004A060HG
Número da peça de fabricante | GP2M004A060HG |
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Número da peça futura | FT-GP2M004A060HG |
SPQ / MOQ | Contate-Nos |
Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
Series | - |
GP2M004A060HG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
Status da Peça | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Vgs (máx.) | ±30V |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 25V |
Recurso FET | - |
Dissipação de energia (máx.) | 86.2W (Tc) |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem | Through Hole |
Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220 |
Pacote / caso | TO-220-3 |
País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
GP2M004A060HG Peso | Contate-Nos |
Número da peça de substituição | GP2M004A060HG-FT |
GP1M005A040PG
Global Power Technologies Group
GP1M005A050PH
Global Power Technologies Group
GP1M006A065PH
Global Power Technologies Group
GP1M008A025PG
Global Power Technologies Group
GP1M008A050PG
Global Power Technologies Group
GP1M009A020PG
Global Power Technologies Group
GP1M016A025PG
Global Power Technologies Group
GP1M018A020PG
Global Power Technologies Group
GP2M002A060PG
Global Power Technologies Group
GP2M002A065PG
Global Power Technologies Group
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel