casa / produtos / Produtos de semicondutores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / GP2M004A060HG

| Número da peça de fabricante | GP2M004A060HG |
|---|---|
| Número da peça futura | FT-GP2M004A060HG |
| SPQ / MOQ | Contate-Nos |
| Material de empacotamento | Reel/Tray/Tube/Others |
| Series | - |
| GP2M004A060HG Status (Ciclo de Vida) | Em estoque |
| Status da Peça | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene para a tensão da fonte (Vdss) | 600V |
| Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Vgs (máx.) | ±30V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 545pF @ 25V |
| Recurso FET | - |
| Dissipação de energia (máx.) | 86.2W (Tc) |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Through Hole |
| Pacote de Dispositivo do Fornecedor | TO-220 |
| Pacote / caso | TO-220-3 |
| País de origem | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| GP2M004A060HG Peso | Contate-Nos |
| Número da peça de substituição | GP2M004A060HG-FT |

GP1M005A040PG
Global Power Technologies Group

GP1M005A050PH
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GP2M002A060PG
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GP2M002A065PG
Global Power Technologies Group

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Microsemi Corporation

AGLN125V2-VQ100I
Microsemi Corporation

EP4CE75F23C8L
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XC5VLX50-3FF676C
Xilinx Inc.

AGL060V2-CS121
Microsemi Corporation

EP20K400ERC240-1
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EPF10K10QI208-4
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EPF10K30AQC208-3N
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